3C-SiC薄膜的ICP刻蚀研究

摘要：

本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气作为刻蚀气体时,刻蚀速率较慢,相同条件下,加入SF6刻蚀速率有较大的提高,主要是由于SF6具有比CHF3高的自由”F”基生成率.用优化的刻蚀条件对用来做谐振器的多晶3C-SiC进行了深刻蚀,后用HF将SiC层下的SiO2释放掉,得到了悬空的谐振器结构.

关键词： ICP 刻蚀速率 3C-SiC薄膜 SiO2 谐振器

作者: 巩全成 宁瑾 孙国胜 高见头 王雷 李国花 曾一平 李晋闽 李思渊

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083;兰州大学物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 中国科学院半导体研究所,北京,100083 兰州大学物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 311-315

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）