EUV掩模板热变形及其对光刻性能影响
极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光度为7mJ/em2时,x-y平面内最大变形为1.6rm,z方向最大变形为0.27nm.掩模板热变形引起掩模图形偏移,最大偏移为1.6nm.经过曝光显影,对于45nm密集线,掩模板热变形引起抗蚀剂图形的CD变化0.06nm、侧壁角度变化1.78°、抗蚀剂图形最大偏移0.35nm.对于45nm半密集线,抗蚀剂图形的CD变化0.2nm、侧壁角度变化2.5°、抗蚀剂图形最大偏移0.45nm.
极紫外光刻 掩模板 热变形 抗蚀剂 侧壁角度 图形偏移
周鹏飞 李艳秋
中国科学院研究生学院;中国科学院电工研究所 中国科学院电工研究所
国内会议
长沙
中文
298-304
2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）