浸没式ArF光刻中像差对特征尺寸的影响
随着集成电路(IC)芯片制备中最小线宽的不断缩小和浸没式光刻技术的引入,像差对特征图形尺寸的影响规律需要进一步研究.在65nm分辨率节点处,分别采用传统和环形两种照明方式,讨论浸没式ArF光刻中杂散光、运动标准偏差(MSD)和光线偏振等因素作用下,像差对特征图形尺寸的影响.分析结果表明:杂散光、MSD和光线偏振等因素对像差引起线宽变化的影响明显,当杂散光量和MSD值增加或偏振方向和特征图形线条方向不平行时,像差引起线宽变化量增加.根据分析结果讨论了利用偏振光的特性降低像差对特征图形尺寸的影响程度的可行性.
像差 杂散光 MSD 浸没式 ArF光刻 PROLITH
张飞 李艳秋
中国科学院电工研究所,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100080 中国科学院电工研究所,北京,100080
国内会议
长沙
中文
292-297
2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）