尺寸可控的纳米硅的制备和生长模型

摘要：

提出了在a-SiNx/a-Si:H/a-SiHx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核、并且限制性生长从球形到鼓形的过程.基于经典热力学理论,建立了限制性晶化理论模型:纳米硅生长过程中界面能增大导致生长停止,给出限制性晶化条件--a-Si:H层厚度小于34nm.在激光晶化形成的SiNx/nc-Si/SiNx三明治结构和nc-Si/SiNx多层膜结构中验证了理论模型.

关键词： 非晶硅 纳米硅 激光幅照 结晶

作者: 黄信凡 陈铠 刘艳松 马忠元 李伟 韩培高 张贤高 陈坤基

作者单位: 南京大学,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 374-378

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）