InP HEMT注入隔离技术研究

摘要：

InGaAs/InAlAs/InPHEMT是微波毫米波和光通讯系统的优选器件,台面隔离是器件制作和芯片加工中的关键工序之一,它不仅影响有源器件的直流性能和器件的射频特性.我们研究了晶格匹配的InGaAs/InAlAs/InPHEMT注入隔离技术,对注入隔离实验进行理论分析,选择适合于InP材料的离子种类,通过实验不同的注入条件如:注入能量、注入剂量;不同的退火温度、退火时间等,得到满意的台面隔离,台面上隔离度≥60V/10uA;台下隔离度≥200V/10uA.

关键词： InP HEMT 注入隔离 微波毫米波

作者: 吴阿慧 张海明 魏碧华

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 241-244

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）