晶圆片温度对SIMOX SOI材料的影响

摘要：

SIMOXSOI工艺中,采用可控加热器对晶圆片进行加热,可以使晶圆片在注入的整个过程中稳定在610℃(偏差±2℃).在610℃时注入形成的SOI材料较低温下注入形成的SOI材料有很大改善.

关键词： SOI材料 晶圆片温度 注入 加热器

作者: 乔狮雄 刘咸成 伍三忠 文正

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十八研究所,长沙,410111

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 166-168

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）