稀土Er离子注入GaN薄膜晶格损伤和发光特性研究

摘要：

掺稀土GaN材料在光通讯和显示技术等方面有广泛的应用前景.本文利用背散射/沟道技术和光致发光谱等技术研究不同离子注入条件对Er离子注入GaN薄膜微结构和发光特性的影响.背散射/沟道技术分析结果指出,随稀土注入剂量和能量增加,引入的晶格损伤总量增加,沟道注入和升温(400℃)注入可以减少损伤的引入,热退火可使部分晶格损伤得到恢复.采用合适的离子注入参数和高温退火工艺,可获得强的室温GaN∶Er在1.54mm的红外发光.

关键词： 离子注入 稀土元素 GaN 光致发光

作者: 陈维德 宋淑芳

作者单位: 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 151-156

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）