SIMOX SOI晶片顶层硅、埋层厚度及均匀性的分析研究

摘要：

本文对SIMOXSOI材料的顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性进行了分析计算,并对注入过程中影响注入能量和剂量的参数进行了改进和控制,结果表明,有效地保证了材料中顶层硅和SiO2埋层的厚度及均匀性的指标.

关键词： SIMOX SOI晶片 顶层硅 SiO2埋层 厚度均匀性

作者: 贾京英 伍三忠 乔思雄 廖炼斌

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 140-144

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）