电子束制作3mm器件0.1μm T型栅的研究

摘要：

本文报导了用电子束制作3mm器件研制中0.1μmT型栅的工艺技术,重点介绍SiN介质加胶这种结构的工艺研究、优缺点及应用水平.

关键词： 电子束 T型栅 氮化硅 胶 SiN介质

作者: 刘玉贵 罗四维 王维军 丁奎章

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 85-87

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）