电子束光刻中的快速邻近效应校正技术的研究

摘要：

通过预先建立校正过程中需要的各种规则表,校正过程中需要的参数通过查表获得,快速、准确地实现用电子束曝光技术加工MEMS微器件中的邻近效应校正.采用局部和全局分层校正机制,局部校正准确计算,全局校正以图形单元为单位进行近似估计,满足了校正精度和速度两个方面的要求.

关键词： 邻近效应校正 微机电系统 规则表 电子束光刻

作者: 郝慧娟 张玉林 宋会英 魏强

作者单位: 山东大学控制学院电子束研究所,山东济南,250061

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 69-73

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）