ZnSe基片上氧化钒薄膜的制备及热非线性吸收特性

摘要：

ZnSe晶体在红外波段10.6μm附近透射率为70﹪,可作二氧化钒薄膜的基片应用于激光防护领域.VO2薄膜用磁控溅射法制备,针对薄膜与ZnSe结合不好的特点,先对基片进行特殊的清洗.制备时基片温度为450℃,氧氩流量比在0.104～0.117范围进行了多次实验.结果表明,氧氩流量比为0.11时有利于VO2的生成,此条件下制备的VO2含量为51.7﹪,远高于其他比值下制备的薄膜.ZnSe基片上制备的VO2薄膜在常温下波长10.6μm时透射率可达60﹪以上.

关键词： 薄膜制备 二氧化钒 激光防护 磁控溅射 ZnSe基片

作者: 田雪松 刘金城 李连江 王骐

作者单位: 哈尔滨工业大学光电子技术研究所,黑龙江,哈尔滨,150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国激光学术会议

会议地点: 四川绵阳

会议语种:中文

页码: 327-329

在线出版日期: 2005-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）