铸造多晶硅材料的少子寿命研究

摘要：

铸造多晶硅材料原生少子寿命沿晶锭生长方向呈倒U字型分布,对应于硅锭体内杂质和缺陷的分布规律.硅锭底部的高浓度氧、Fe杂质及其相关的高密度微缺陷导致该区域少子寿命偏低;而顶部高浓度的碳、Fe及其相关的高密度微缺陷,尤其是高密度位错致使其少子寿命偏低.硅锭中部的杂质浓度偏低,微缺陷较少,可以直接作为优良的太阳电池基体材料.

关键词： 多晶硅 太阳电池 少子寿命

作者: 朱鑫 杨德仁 邓海 席珍强

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 110-112

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）