制备工艺条件对Al背场开路电压的影响

摘要：

本文采用真空蒸镀法在经过制绒、清洗、扩散和PECVD镀氮化硅(SiNx)处理的单晶硅片上蒸镀Al膜,再通过烧结方法形成背场,并探讨了工艺条件即烧结温度、时间和Al膜厚度对开路电压的影响.实验结果表明,开路电压随膜厚和烧结温度的增加而增加.

关键词： 真空蒸镀 Al背场 开路电压 氮化硅 单晶硅片

作者: 乔琦 杨辉 季静佳 张光春 施正荣 李果华

作者单位: 江南大学,江苏无锡,214122 江苏省光伏工程技术中心,江苏无锡,214028;无锡尚德太阳能电力有限公司,江苏无锡,214028 江南大学,江苏无锡,214122;江苏省光伏工程技术中心,江苏无锡,214028

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 106-109

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）