热处理对多晶硅上沉积氮化硅薄膜的影响
用等离子体化学气相沉积(PECVD)法通过改变硅烷与氨气的流量比沉积氮化硅薄膜,用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.实验发现,在沉积温度350℃,沉积时间5min,”SiH4:N2”/”NH3”=4∶1时,沉积氮化硅后硅片高寿命、氢含量高钝化效果好、反射率低.在退火时间5min、退火温度400℃时少子寿命提高,然后随着退火时间、温度的增加,多晶硅片少子寿命逐渐降低.在FG气氛下退火要比N2气氛的少子寿命高.在多晶硅片上沉积氮化硅后,太阳电池的短路电流,开路电压,效率有很大提高.
多晶硅 太阳电池 等离子体化学气相沉积 氮化硅 少子寿命
勾宪芳 马丽芬 任丙彦 冯志军 李士杰 赵士峰
北京市太阳能研究所有限公司,北京,100083 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130 京龙集团,河北宁晋,055550
国内会议
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38-41
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）