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PECVD法制备SnO2多晶薄膜退火处理后性质分析

本文采用等离子增强气相沉积法(PECVD)与退火热处理相结合制备得到了SnO2多晶薄膜.利用X射线衍射、紫外可见透射光谱等方法研究了SnO2薄膜的微观结构以及光学和电学的性质.结果表明:热处理后的SnO2薄膜,从非晶转化为四方相多晶结构,透过率变化不大,载流子浓度增大.

SnO2多晶薄膜 化学气相沉积法 退火热处理 多晶薄膜

罗琼 冯良桓 雷智 蔡伟 张静全 李卫 蔡亚平 武莉莉 黎兵 郑家贵

四川大学材料科与工程学院,四川成都,610064

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2006-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)