GeF4流量对PECVD法制备微晶硅锗材料特性的影响

摘要：

实验中采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法,以GeF4+Si2H6+H2作为反应气体,改变GeFe气体流量,在250℃～300℃的普通玻璃衬底上制备出不同Ge含量的μc-SiGe材料.通过Raman和XRD研究材料的结晶性,CPM法测试材料的光学吸收特性,并且结合光/暗电导等测试结果综合分析了材料的结构特性、光学特性、电学特性等与GeF4气体流量之间的关系.

关键词： 微晶硅锗 薄膜太阳电池 化学气相沉积 光学吸收特性 电学特性

作者: 胡增鑫 张建军 谷士斌 孙健 赵颖 耿新华

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300132

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 663-666

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）