多层膜法制备β-FeSi2光电薄膜的研究

摘要：

本文采用磁控溅射方法结合多层膜结构制备了优质β-FeSi2薄膜.”Fe0.5nm/Si1.6nm”120多层膜经过900℃退火2小时后,样品呈现β(220)/(202)择优取向,而Fe单层膜制备的样品则无择优取向.原子力显微镜分析表明,多层膜法制备的样品表面均方根粗糙度约为16nm,约为单层膜样品的一半.根据光吸收谱测量,样品的禁带宽度为0.88eV.在40W光源照射下,多层膜法制备的样品具有大于30﹪的光电导效应.

关键词： 光电薄膜 β-FeSi2 多层膜 磁控溅射 原子力显微镜

作者: 沈鸿烈 鲁林峰 尹玉刚 SAKAMOTO Isao KOIKE masaki MAKITA Yunosuke

作者单位: 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京市,210016 Photonics Research Institute,National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,Tsukub

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 691-694

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）