In2O3:Sn薄膜的厚度对其光电性能的影响

摘要：

氧化铟锡(Indium-TinOxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上.本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响.将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193﹪.

关键词： 氧化铟锡薄膜 电阻蒸发法 透过率 电阻率 光电性能 电学特性 太阳电池

作者: 李林娜 薛俊明 赵亚洲 李养贤 赵颖 耿新华

作者单位: 河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130;南开大学,光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 南开大学,光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 河北工业大学材料科学与工程学院,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 671-673

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）