衬底温度对氧化铟锡薄膜性能的影响

摘要：

本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了衬底温度对其表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为200℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为2.5×10-4Ω·cm、可见光波段(360～750nm)透过率为88.5﹪,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.

关键词： 氧化铟锡薄膜 射频磁控溅射 衬底温度 异质结太阳电池

作者: 刁宏伟 刘晓平 任丙彦 许颖 曾湘波 廖显伯

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083 天津市红桥区河北工业大学(院部)信息功能材料研究所,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 656-658

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）