氢辅助PECVD法沉积氮化硅薄膜的钝化效果研究
氮化硅薄膜被广泛应用于硅太阳电池的减反射膜.本文对比了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中有无氢气参与情况下氮化硅薄膜的钝化效果.实验样品的傅立叶红外吸收光谱(FTIR)表明氢气参与氮化硅薄膜的沉积对薄膜的成分和结构影响不大,各特征峰位无明显变化,不同之处在于薄膜中氢的含量有所提高.微波光电导衰减仪(MWPCD)测试结果表明,在没有氢气参与沉积的情况下,直拉单晶硅的少子寿命从31μs提高到99μs.然而在有氢气参与沉积的情况下,少子寿命从31μs提高到145μs.这说明在薄膜沉积过程中适量的氢气能够明显的提高氮化硅薄膜的钝化效果.
氮化硅薄膜 少子寿命 化学气相沉积 硅太阳电池 减反射膜 钝化效果
陈涛 席珍强 汪雷 杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027
国内会议
成都
中文
753-755
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）