低阻n+-SnO2透明导电薄膜的制备及研究

摘要：

本文采用超声雾化喷涂工艺制备SnO2透明导电薄膜,反应溶液为SnCl4水溶液,选用F和Sb作为掺杂元素,通过改变掺杂量、衬底温度等工艺参数,要求获得薄膜方块电阻在10Ω/□-50Ω/□范围内,膜厚为100nm的n型Sn02薄膜,n+-SnO2/n-Si同型异质结Voc≥350mV.并研究了在一定温度下SnO2薄膜R/□、Voc与溶液配比的关系,以及在一定掺杂条件下SnO2薄膜R/□、Voc与温度的关系.

关键词： SnO2薄膜 透明导电薄膜 超声雾化喷涂 衬底温度 掺杂量

作者: 张鹤仙 陈庭金 朱浩月 姚朝晖 夏朝凤

作者单位: 云南师范大学太阳能研究所,云南省农村能源工程重点实验室,昆明,650092

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 740-745

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）