MOCVD生长InGaN薄膜的光致发光特性

摘要：

InGaN薄膜是研制空间用全光谱高效率多结太阳电池的理想材料之一,本文实验研究了MOCVD技术生长InGaN薄膜的表面形貌和光致发光特性,结果发现MOCVD生长In0.2Ga0.8N薄膜表面出现不同In含量不同粒度形成的岛状微结构.光致发光实验发现In富量子点的辐射复合跃迁光谱,光致发光激发光谱观察到In0.2Ga0.8N和GaN的带边吸收峰以及不同尺度的In富量子点吸收峰.结果表明,控制生长条件可实现InGaN薄膜的S-K模式生长自组织量子点,这对于研发全光谱InGaN量子点p-i-n结构太阳电池具有一定的参考价值.

关键词： InGaN薄膜 量子点 光致发光光谱 光致发光激发谱 多结太阳电池 金属有机气相淀积

作者: 苑进社 陈光德

作者单位: 重庆师范大学物理学与信息技术学院,重庆,400047;西安交通大学理学院,陕西西安,710049 西安交通大学理学院,陕西西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 726-729

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）