CuCl2和InCl3溶液浸泡后快速热退火对CuInGaSe2薄膜电学性能的影响

摘要：

本文研究了磁控溅射的CuInGaSe2薄膜在CuCl2和InCl3溶液中浸泡10分钟后,进行快速热退火(RapidThermalProcess,RTP)对薄膜电学性能的影响.结果表明,In离子的掺入,产生了施主In,从而产生电子与P型的CuInGaSe2薄膜中的空穴复合,降低了载流子浓度,但是在适当的条件下提高了载流子迁移率.Cu离子的掺入,产生了Cu受主,从而产生了更多的空穴提高了CuInGaSe2薄膜的载流子浓度,同时在2M的CuCl2浸泡后,在400℃RTP处理50秒的条件下,提高了薄膜的迁移率.

关键词： 快速热退火 CuInGaSe2薄膜 载流子迁移率 磁控溅射 电学性能

作者: 汤会香 崔方明 席珍强 汪雷 孙云 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027 南开大学光电子研究所,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 384-386

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）