采用刻槽埋栅方法制作低倍聚光电池的研究
本文制作的是平面结聚光硅太阳电池,它的应用光强为十个太阳.采用的是0.5～1Ω·cm的p型〈100〉电池片.因为此聚光电池是用在特殊场合,考虑到栅线的横截比、周长以及沟槽的形貌对于电池的性能有着极大的影响,所以设计了特殊的栅线结构.选用的硅片尺寸为25cm×98cm.主栅长97.5mm、宽2mm,栅线间距是0.06mm.细栅长22.6mm,间距是0.5mm.通过改变激光机的频率、电流以及速度,利用显微镜观察、比对各种沟槽的表面形貌以及沟槽的宽度、深度.选择合适的条件(沟槽深为45μm,宽为45μm)刻出表面平整且适合化学镀的沟槽.严格的控制反应的时间和反应的温度,使得沉积的金属(Ni-Cu-Ag)致密、均匀.
刻槽埋栅电池 聚光硅 硅太阳电池 化学镀
宋爽 励旭东 许颖
北京市太阳能研究所有限公司,北京,100083
国内会议
成都
中文
84-87
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）