磷扩散对晶体硅太阳电池发射结钝化和吸杂作用的研究
一直以来,有人认为磷扩散对晶体硅太阳电池只有发射结钝化,有人认为只有吸杂,还有的人认为两者皆而有之,但都没有形成统一认识.本文通过采用碘酒对晶体硅进行表面化学钝化,减少了表面复合对少子寿命的影响.通过对比在不同磷扩散条件下,扩散前、扩散后和腐蚀掉PN结之后少子寿命的变化,研究了磷扩散对晶体硅太阳电池发射结钝化和吸杂用的影响.其结果表明,当磷扩散在20～30Ω/□时,发射结钝化占主导地位,同时还有一定的吸杂作用.当采用40Ω/□磷扩散工艺时,我们得到了不同的结果.但有趣的是我们得到了腐蚀掉PN结之后的少子寿命比扩散后的少子寿命还要大很多的现象,似乎只有吸杂作用,但还需要进一步的研究.
晶体硅 太阳电池 发射结钝化 少子寿命 磷扩散
罗培青 李友杰 黄建华 崔容强 姚桂华 张小庆 王玉亭 陈坤
上海交通大学物理系太阳能研究所,交大林洋太阳能光伏研发中心,上海,200240 江苏林洋新能源有限公司,江苏启东,226200
国内会议
成都
中文
53-56
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）