真空蒸发制备Cd1-xZnxTe薄膜的性质研究

摘要：

用真空蒸发法制备了Cd1-xZnxTe(0＜x＜1)系列薄膜,研究了薄膜的结构、成分及其光、电学性质.XRD测试表明各组分薄膜的结构均为立方相,且在(111)方向高度择优.衬底温度对薄膜结构没有明显影响.成分分析表明,刚沉积的薄膜富Te,且Zn含量越多,衬底温度越高,富Te的趋势越显著.通过测量透过和反射谱,计算出Cd1-xZnxTe薄膜的禁带宽度Eg随组分x值线形变化.Cd1-xZnxTe薄膜的电阻率和电导激活能随x值增加而减小.

关键词： 真空蒸发 CZT薄膜 薄膜太阳电池 电学性质

作者: 武莉莉 冯良桓 蔡伟 李卫 张静全 黎兵 雷智 蔡亚平 郑家贵

作者单位: 四川大学材料科学与工程学院,四川成都,610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 363-367

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）