电子束蒸发制备ZnO:Al膜及 Si:H/ZnO:Al接触特性

摘要：

本实验选用纯度为99.7﹪的氧化锌粉末掺入不同质量比(分别为2,2.5,3﹪)的纯度为99.99﹪的氧化铝粉末,充分研磨使其混合均匀,然后在10MPa的压力下压制30s成靶,利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al透明导电膜,利用扫描电子显微镜观察其表面形貌,利用分光光度计分析其光学性质,利用四探针对其进行电学性质的测量.结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性,在衬底温度为200℃时样品的电阻率可达6×10-3Ωcm.进一步研究了不同掺杂量ZnO:Al膜与n型Si:H膜的接触特性.

关键词： 电子束蒸发 透明导电薄膜 衬底温度 氧化锌粉末 氧化铝粉末

作者: 王海燕 王子健 卢景霄 郜小勇 杨氏娥 谷锦华 陈永生

作者单位: 郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南郑州,450052

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 342-345

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）