单晶CdTe(100)/Si(100)复合衬底材料的HWE生长
本文第一次报道了用热壁外延的方法在Si(100)衬底上异质外延得到了镜面状的CdTe(100)单晶薄膜,薄膜与衬底有非常好的附着强度.用SEM、AFM和XRD技术分析了薄膜的表面和断面形貌及结构特征,SEM显示薄膜表面平整,断面显示薄膜在生长中期发生了变化,由多晶层向单晶层转变.AFM给出了CdTe(111)和CdTe(100)的形貌比较.XRD显示薄膜沿(400)晶向高度择优取向,有Te的一个弱峰位而没有其他CdTe晶向峰位.EDS检测薄膜表面Te和Cd的原子比率为51.53﹪和48.47﹪.X射线双晶摇摆曲线对称半峰宽值(FWHW)为1861arcsec.结合表面及断面形貌分析指出:在清洁的没有经过高温脱氧处理的Si(100)衬底上,当衬底温度和原子沉积速度有好的匹配,且系统真空度优于4×10-4pa的条件下,用热壁外延的方法可以处延生长CdTe(100)单晶薄膜.
热壁外延 择优取向 CdTe单晶薄膜 结构特征
姚朝晖 陈庭金 夏朝凤 袁海荣 刘祖明 廖华
中国农业大学水利与士木工程学院,北京,100083;云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092 云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092
国内会议
成都
中文
309-313
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）