一步共蒸发法低温制备CIGS薄膜的研究

摘要：

采用Cu、In、Ga、Se一步共蒸发法低温制备CIGS薄膜.XRD分析表明一步共蒸发法制备的CIGS薄膜基本消除了(In,Ga)2Se3相.霍耳效应分析表明薄膜在不产生CuSe时,载流子浓度小于1016/cm3.将该工艺应用于聚酰亚胺衬底,制备的n-ZnO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo结构的太阳电池转换效率达到5.88﹪.

关键词： 铜铟镓硒薄膜 转换效率 一步共蒸发法 霍耳效应 太阳电池

作者: 王春婧 何青 张力 施成营 赵久成 孙云

作者单位: 南开大学信息技术科学学院,光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 297-300

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）