Se源温度对预制层In2Se3薄膜晶相结构的影响

摘要：

用三步法制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,Se源温度的变化,会对第一步预制层In2Se3薄膜的表面形貌、成分比例以及晶相结构产生影响.本文改变Se源温度,采用多源共蒸发法制备In2Se3薄膜.结果表明,低Se源温度制备的In2Se3预制层中产生金属析出物,In2Se3结晶相以(006)衍射峰为择优取向,同时伴有InSe相的衍射峰出现;提高Se源温度,预制层表面形貌和组成成分都较好,In2Se3结晶相为(110)衍射峰择优.

关键词： Se源温度 表面形貌 择优取向 铜铟镓硒薄膜

作者: 王兴磊 敖建平 何玮瑜 何青 李凤岩 孙云

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071;云南大学材料科学与工程系,昆明,650091 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 293-296

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）