含Se预制层制备CuIn1-xGaxSe2薄膜材料研究

摘要：

本文中采用溅射后硒化两步法制备CuIn1-xGaxSe2(CIGS)薄膜材料.由于采用后硒化方法制备CIGS薄膜时,薄膜生长所需的Se元素完全由外部Se源依靠扩散机制提供,所以在短时硒化过程中,薄膜内部经常出现Se元素不足的状况,并由此导致薄膜内部出现空洞与CuSe以及非单一CIGS四元相的情况.为了解决以上问题,在硒化时采用含Se预制层制备CIGS薄膜,从而优化了反应途径,改善了薄膜结晶质量,并形成单一相的CIGS化合物.

关键词： 薄膜化合物材料 CIGS薄膜 后硒化 扩散机制

作者: 刘玮 孙云 李凤岩 何青 李长健 田建国

作者单位: 南开大学光电子研究所,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 273-276

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）