两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较
CuInSe2(CIS)半导体材料具有出色的光伏性能、丰富的缺陷物理内涵以及多样的制备方法,二十多年来一直受到太阳能电池界和材料物理界的极大关注.本文采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳能电池用CuInSe2薄膜.通过XRD、SEM、EDX等分析手段检测了薄膜表面形貌、微结构、组分和光电性能.结果表明:两种方法制备的薄膜形貌都比较致密均匀,晶粒直径分别约1.5μm和约1μm.组分分析表明所制薄膜均为富铜CIS.硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构;而叠层法制备的薄膜含有少量杂相(如In2Sea).因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收层材料.
铜铟硒薄膜 太阳电池 硒化法 叠层法 缺陷物理
林飞燕 秦娟 徐环 史伟民 魏光普
上海大学材料科学与工程学院,上海,200072
国内会议
成都
中文
269-272
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）