GaInP2/GaAs/Ge三结太阳电池集成旁路二极管模型及工艺讨论

摘要：

本文应用异质结物理和等效电路方法建立了集成旁路二极管在有光和暗条件下的模型;从干法和湿法刻蚀方面设计了适合集成旁路二极管制作的工艺;对测试方法进行了讨论,并且建立一套完善的测试标准.对两种模型采用工艺方案成功的实现了旁路二极管制作,并应用于批量生产中.

关键词： 多结太阳电池 集成旁路二极管 湿法刻蚀 旁路二极管测试标准 异质结物理 等效电路

作者: 姜德鹏 张玮 张忠卫 池卫英

作者单位: 上海空间电源研究所,上海,200233

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 253-256

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）