Cu(In1-xGax)Se2薄膜沉积过程中富Cu量对薄膜特性的影响

摘要：

本文采用三步共蒸发方法制备Cu(GaxIn1-x)Se2薄膜,在第二步结束达到最大富Cu量时,中断薄膜沉积,形成Cu(GaxIn1-x)Se2与CuxSe的混合相,应用XRF、SEM、XRD、Raman、台阶仪及霍尔效应测试仪进行测试,研究最大富Cu量对薄膜结晶质量、结构特性及电学特性的影响.测试表明,薄膜的Cu/Ⅲ原子比从103﹪增大到118﹪时,其载流子浓度增大两个数量级,达到1020cm-3;粗糙度减小;最大富Cu量较大的薄膜结晶质量较好.

关键词： 薄膜沉积 薄膜特性 三步共蒸发 霍尔效应 电学特性

作者: 何炜瑜 孙云 敖建平 何青 刘芳芳 李凤岩 周志强 李长健

作者单位: 南开大学光电子技术研究所,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 249-252

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）