InGaN光伏器件的特征与设计

摘要：

研究表明:InGaN材料系能作为获得高效率太阳能电池的材料,用串联和量子阱结构可以实现高转换效率问题.设计InGaN的p-i-n和量子阱太阳能电池,用MOCVD生长并制作成台面式器件.高In组分的InGaN太阳能电池由两个结构构成:一个是把高In组分的InGaN并入p-i-n太阳能电池的i区,另一个是把高In组分的InGaN并入量子阱器件的阱区..低In组分的In0.07Ga0.93Np-i-n器件结构的太阳能电池显示了19﹪的内部量子效率和在500nm处的光发射,证实了该材料在光伏应用中具有稳定性.

关键词： 太阳能电池 InGaN 量子阱 带隙 光伏器件

作者: 董少光 范广涵

作者单位: 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631;佛山科学技术学院物理系,广东佛山,528000 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510631

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 237-239

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）