纳米硅/晶体硅异质结电池的暗I-V特性的分析

摘要：

本文采用HWCVD技术在p型CZ晶体硅衬底上制备了纳米硅/晶体硅异质结太阳电池,测量了晶体硅表面在不同氢处理时间和有无i层条件下的异质结的室温暗I-V特性和相应的电池性能参数.采用双二极管模型拟合了正向暗I-V特性,表明适当时间的氢处理(～30s)可有效降低界面复合电流,改善载流子输运过程,电池参量的测试结果证实了以上结论.纳米硅/晶体硅异质结界面的缺陷态更倾向于连续分布,而不是单能级.

关键词： 纳米硅 异质结电池 暗电流 电压特性 太阳电池 电池性能

作者: 张群芳 崔介东 刘丰珍 朱美芳

作者单位: 中国科学院研究生院物理科学学院,北京,100049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 220-223

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）