氢化微晶硅薄膜的VHF-PECVD法制备与等离子体诊断
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在不同等离子体激发频率条件下制备了氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并通过Langmuir探针测量技术对制备过程中的硅烷等离子体进行了原位诊断.由厚度测量与Raman光谱分析可知,随着等离子体的激发频率从80MHz增大到140MHz,μc-Si:H薄膜的生长速率由1.1nm/s提高到1.6nm/s,晶化率和平均晶粒尺寸则由58﹪、6.5nm增大到70﹪、9.2nm.Langmuir探针测量表明,随着等离子体激发频率的增大,硅烷等离子体中电子的平均能量降低而电子数密度增大,这些结果可以较好地解释μc-Si:H薄膜沉积速率和结构特性随等离子激发频率的变化规律.
氢化微晶硅薄膜 化学气相沉积 等离子体诊断 沉积速率 结构特性
杨恢东 黄君凯
暨南大学电子工程系,广东广州,510632
国内会议
成都
中文
215-219
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）