(i-a-Si:H/p-μc-Si:H)界面过渡层对nip非晶硅太阳电池性能的影响

摘要：

本文采用RF-PECVD技术成功在非晶硅表面制备出p型晶化硅薄膜,并应用到了nip非晶硅太阳能电池上.详细研究了i/p界面对电池特性的影响.结果表明:氢等离子处理非晶硅表面5Min可以改善非晶硅表面的状况,使其表面生长出p型晶化硅薄膜;H等离子体处理非晶硅表面后生长成核层的界面处理方法可以进一步改善电池的特性.

关键词： 非晶硅太阳能电池 界面过渡层 p型晶化硅薄膜 电池特性 化学气相沉积

作者: 王锐 薛俊明 俞远高 侯国付 孙建 杨瑞霞 耿新华

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071 河北工业大学信息工程学院,天津,300130

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 200-202

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）