纳米硅薄膜太阳电池研究
本文报道在高氢稀释(RH=100)和低衬底温度(Ts=50～150℃)条件下,用PECVD制备得到纳米硅(nc-Si)薄膜,纳米硅(nc-Si)薄膜微结构、光学性质和电学性质分别由高分辨透射电镜(HRTEM)、喇曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)、透射谱,激活能测试表征.测试结果表明镶嵌于非晶硅基体中的纳米晶粒尺寸为2～100nm,量子限制效应使带隙可达1.84eV.将纳米硅薄膜用作nip太阳电池的p层,经过电池结构和工艺条件的优化设计,制备出了ss/n:a-Si/i:a-Si/p:nc-Si/ITO结构的nip太阳电池.电池开路电压(Voc)达0.94V.
纳米硅 薄膜太阳电池 量子限制效应 化学气相沉积 电池结构
曾湘波 李志刚 刁宏伟 郝会颖 石明吉 许颖 孔光临 廖显伯
中国科学院半导体研究所,北京,100083 上海空间电源研究所,上海,200233
国内会议
成都
中文
196-199
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）