250℃外延硅薄膜太阳能电池及其界面的优化
本文通过C-V和C-F测试研究了热丝化学气相沉积(HWCVD)过程中不同缓冲层晶化度条件下太阳能电池的界面特性.缓冲层晶化度的提高可以有效增加太阳能电池的短路电流,改善太阳能电池性能.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察了纳米晶硅和晶体硅界面,当缓冲层氢稀释度为0、50﹪和97﹪时,分别观察到晶体硅表面的非晶硅、部分外延和完全外延硅薄膜的生长.通过优化工艺参数,在低温(250℃)下制备出转换效率为17.27﹪的n-epi-Si/i-epi-Si/p-c-Si太阳能电池.
薄膜太阳能电池 热丝化学气相沉积 外延硅 短路电流
张群芳 朱美芳 刘丰珍
中国科学院研究生院物理科学学院,北京市,100049
国内会议
成都
中文
191-195
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）