低温制备p-nc-Si:H薄膜及其在太阳电池中的应用
研究p型纳米硅薄膜材料带隙对硅基薄膜太阳电池性能的影响.采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition-PECVD)法制备p型纳米硅薄膜,p层材料结构和性能由透射谱和XRD表征.结果表明,50℃～100℃的温度范围内沉积的p层薄膜,晶粒尺寸都在16nm左右,150℃时,晶粒尺寸较大,达24.9nm.温度为50℃、70℃时,p层薄膜带隙较宽,为1.84eV,晶粒在(111)晶面优先生长;当温度高于100℃,薄膜从(111)晶面过渡到(220)晶面生长,带隙变窄;150℃时,薄膜带隙为1.62eV,晶粒在(220)晶面优先生长.将优化的p层应用于单结不锈钢衬底n-i-p电池,实验室小面积电池效率为8.2﹪(AM1.5).
纳米硅薄膜 低温制备 化学气相沉积 薄膜太阳电池 电池效率
李志刚 曾湘波 刁宏伟 叶晓军 陈鸣波 廖显伯 李红波 郝国强
上海空间电源研究所,上海,200233 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点研究室,北京,1000830
国内会议
成都
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187-190
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）