热丝CVD低温快速生长多晶硅薄膜的研究
本文利用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在普通玻璃衬底上低温快速制备多晶硅薄膜,考察了不同生长时间内制备的多晶硅薄膜的生长速率及薄膜性质.Raman测试表明随着时间的延长,薄膜生长速率逐渐减小,并在3min后趋于稳定,而薄膜的晶化率逐渐变好.研究了氢气热处理在薄膜生长前后对薄膜的影响,发现在薄膜制备前及薄膜制备后对衬底的氢气热处理都有利于薄膜质量的提高,而后处理效果较为明显.这可能是薄膜制备前的氢气热处理清洁了衬底表面,促进了后步的成核过程,从而提高了晶化率,而多晶硅薄膜制备完成后的原位氢气热处理有利于薄膜的进一步晶化.
多晶硅薄膜 热丝化学气相沉积 氢气热处理 生长速率
陈官璧 汪雷 杨德仁
浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027
国内会议
成都
中文
180-182
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）