沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

摘要：

本文采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV-分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行表征.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低.这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制.该温度值随着硅烷含量的降低而降低.

关键词： 化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 拉曼散射谱 晶化率 紫外分光光度计

作者: 陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄

作者单位: 郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室,郑州,450052

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 176-179

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）