利用间歇供气法在柔性衬底上制备多晶硅薄膜

摘要：

通过热丝化学气相沉积法(HW-CVD),采用间歇供气方式制备硅薄膜.实验发现该方法在有机衬底上生长的薄膜为多晶硅结构,而采用连续供气法在有机衬底上生长的薄膜则为非晶硅结构.间歇供气法制备多晶硅薄膜生长速率约为20(A)/S.对有机衬底上多晶硅薄膜的生长机理进行了讨论.

关键词： 多晶硅薄膜 柔性衬底 间歇供气 热丝化学气相沉积

作者: 常艳 汪雷 杨德仁

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 173-175

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）