氢化纳米硅薄膜的I-V特性研究
对于纳米硅薄膜的高电导率,近几年有了比较深入的研究,对其电导机制有了比较深入的理解.根据纳米硅薄膜异质结能带模型和电导机制理论,我们对氢化纳米硅薄膜的电流一电压与温度的关系做了测量、计算和讨论.并且在不同的温度下,我们分别测量了本征的和掺杂的氢化纳米硅薄膜的I-V曲线,并与理论计算结果进行了对比分析.测量结果表明在200～300K的温度范围内,I-V曲线表现出线性的欧姆特性,没有任何的附加阻抗和整流效应出现.
纳米晶硅薄膜 电导机制 I-V特性 欧姆特性
赵占霞 马忠权 王德明 吴伟 徐飞
上海大学物理系,上海,200444
国内会议
成都
中文
165-168
2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）