温度和压强对制备微晶硅锗材料性能的影响

摘要：

本文以Si2H6和GeF4为源气体,用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术在不同衬底温度和功率条件下制备了硅锗薄膜材料.我们首先对材料的光电导和暗电导进行了测量,通过研究材料的光、暗电导的比值来分析材料的光学特性,然后用喇曼光谱和X射线衍射对材料的结构进行了研究.结果表明:硅锗材料的光暗电导比在等离子功率为30W、衬底温度为300℃时达到1000以上,随温度的升高、功率的增大硅锗材料的结构逐渐由非晶转变为微晶.我们将这种材料应用于微晶硅锗薄膜(μc-SiGe)太阳能电池中,首次获得效率η=4.2﹪的μc-SiGe薄膜太阳能电池.

关键词： 微晶硅锗薄膜 太阳能电池 喇曼光谱 X射线衍射 化学气相沉积

作者: 谷士斌 胡增鑫 张建军 孙建 杨瑞霞

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300132 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071 河北工业大学信息工程学院,天津,300132

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 153-156

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）