气体总流量对高速沉积的微晶硅薄膜的性能影响

摘要：

实现高速沉积对于薄膜微晶硅太阳电池产业化降低成本是一个重要手段.本文采用超高频等离子体增强化学气相沉积技术,实现了微晶硅薄膜的高速沉积,并考察了气体总流量在化学气相沉积(CVD)过程中对薄膜的生长速率、光电特性和结构特性的影响,获得了沉积速率达到12(A)/s的器件质量级微晶硅薄膜材料.采用沉积速率12(A)/s的微晶硅材料制备微晶硅电池,在未优化的情况下电池效率达到了5.3﹪.

关键词： 气体总流量 高速沉积 微晶硅薄膜 薄膜太阳电池 化学气相沉积

作者: 郭群超 耿新华 韩晓艳 王辉 孙建 魏长春

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 149-152

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）