MOCVD制备的ZnO薄膜及其Si薄膜太阳电池前电极应用

摘要：

本文研究了金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术制备的B掺杂ZnO薄膜.通过B掺杂的系列实验,在B2H6流量为10sccm条件下,我们生长出了厚度为1000nm、类金字塔状绒面结构、电阻率为1.2×10-3Ωcm、平均透过率～85﹪和迁移率为～30cm2/Vs的ZnO薄膜.将其用作硅薄膜太阳电池的前电极,电池性能与日本Asahi-UTypeSnO2作前电极的电池相当.

关键词： ZnO薄膜 金属有机化学汽相沉积技术 前电极 薄膜太阳电池 电池性能

作者: 陈新亮 薛俊明 陈飞 赵颖 耿新华

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 & 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 142-145

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）