硅烷浓度对非晶/微晶过渡区内材料和电池性能的影响

摘要：

硅烷浓度是影响等离子体增强化学气相沉积硅薄膜材料特性的一个重要参数.本文通过调节硅烷浓度,得到了系列位于非晶/微晶过渡区内的材料.研究发现:在非晶/微晶过渡区内存在着一个特别的区域,该区域内的材料光敏性比普通非晶硅高.以这部分材料作为太阳电池的本征层,通过优化电池结构,在SnO2衬底上制备pin型太阳电池,电池的初始开路电压(Voc)达到了0.916V.

关键词： 硅烷浓度 过渡区 太阳电池 开路电压 化学气相沉积 硅薄膜材料

作者: 陈飞 张晓丹 赵颖 魏长春 孙建 耿新华

作者单位: 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 138-141

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）