晶体硅太阳电池背场氢化微晶硅薄膜制备及特性

摘要：

本文采用改进大面积(45cm×45cm)等离子增强化学气象沉积(PECVD)方法,在玻璃衬底上制备p型氢化微晶硅薄膜(μc-Si:H),用于薄膜硅太阳电池背场及背电极接触.在三甲基硼烷流量比0.66﹪、反应温度250℃条件下沉积得到薄膜表面电阻率0.03～1.20Ω·cm,晶化度45﹪～50﹪.进一步研究了沉积时间及源气体流量比、压力等工艺参数对薄膜特性的影响.采用暗特性曲线、四探针、拉曼以及椭偏光谱扫描等方法对薄膜结构和光学特性进行分析;根据阿仑尼乌斯方法、Urbach方法等探求薄膜激活能及缺陷态分布.在此基础上沉积了pin结构微晶硅薄膜太阳电池.

关键词： 氢化微晶硅 化学气相沉积 太阳电池 微晶硅薄膜

作者: 班群 Dietmar Borchert Martin Hanke 沈辉

作者单位: 中山大学理工学院,广州,510275;Laboratory and Service Center Fraunhofer ISE Gelsenkirchen45984 德国 Laboratory and Service Center Fraunhofer ISE Gelsenkirchen45984 德国 中山大学理工学院,广州,510275

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国太阳能光伏会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 134-137

在线出版日期: 2006-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）